В этом году Samsung официально прекращает производство флэш-памяти 2D NAND. Освободившиеся производственные линии будет перепрофилированы для удовлетворения ажиотажного спроса на память HBM4, обусловленного бурным развитием искусственного интеллекта.
Обзор и тестирование моноблока iRU 23ID: стильный, быстрый и тихий
Обзор сервера iRU Rock G2212IG6 на базе Intel Xeon 6
Обзор ноутбука HONOR MagicBook X16 2026: как раньше, только лучше
Обзор смартфона realme C85 Pro: непотопляемый
Обзор ИБП Ippon NUT 1050
Обзор смартфона Sony Xperia 1 VII: на последнем дыхании
Источник изображения: TechPowerUp
По данным The Elec Korea, Samsung планирует официально прекратить производство 2D NAND на своём заводе в Хвасоне. Вместо того чтобы полностью закрывать предприятие, Samsung перепрофилирует мощности для металлизации DRAM, то есть процесса нанесения реальных дорожек для соединения ячеек памяти внутри самой DRAM.
Производственная мощность линии 12 в Хвасоне составляет от 80 000 до 100 000 12-дюймовых пластин в месяц. Это значительное количество пластин, которые сейчас используются только для 2D NAND Flash, технологии, которая устарела после появления 3D NAND Flash.
Теперь на этой линии будет производиться DRAM 6-го поколения класса 10 нм, используемая в HBM4, и Samsung ожидает, что общая мощность производства DRAM вместе с линиями 3 и 4 в Пхёнтеке достигнет около 200 000 пластин в месяц во второй половине года.
Память 2D NAND Flash была впервые представлена в конце 1990-х годов. Производители памяти и накопителей постепенно отказывались от этой технологии в последние несколько лет, и Samsung не является исключением. В марте производство 2D NAND будет окончательно прекращено, уступив место технологии 3D NAND Flash, которая обладает множеством преимуществ перед старой планарной NAND, включая большую ёмкость, лучшую надёжность и гораздо более высокие показатели производительности в целом.
